Транзистор G40T60AN3H IGBT 600В 40А TO-3P ON Semiconductor силовий для зварювальних інверторів та імпульсних схем

Транзистор G40T60AN3H IGBT 600В 40А TO-3P ON Semiconductor силовий для зварювальних інверторів та імпульсних схем

G40T60AN3H — потужний IGBT транзистор виробництва ON Semiconductor, призначений для роботи у високовольтних силових електронних схемах та системах перетворення енергії.

Транзистор розрахований на напругу до 600 В та струм до 40 А, що дозволяє використовувати його в інверторах, імпульсних джерелах живлення, джерелах безперебійного живлення (UPS), зварювальних апаратах та іншому промисловому обладнанні. Завдяки високій швидкості перемикання та низьким втратам компонент забезпечує ефективну і стабільну роботу силових вузлів.

Корпус TO-3P забезпечує ефективне тепловідведення та дозволяє встановлювати транзистор на радіатор для роботи з великими потужностями. Надійність конструкції та високі електричні характеристики роблять G40T60AN3H оптимальним рішенням для ремонту та створення сучасних силових пристроїв.

Характеристики

— Тип транзистора: IGBT
— Модель: G40T60AN3H
— Виробник: ON Semiconductor

Конструкція:

— Корпус: TO-3P
— Тип монтажу: THT

Електричні параметри:

— Максимальна напруга колектор-емітер (Vce): 600 В
— Максимальний струм колектора (Ic): до 40 А

Застосування:

— інвертори
— джерела безперебійного живлення (UPS)
— імпульсні блоки живлення
— зварювальні апарати
— силова електроніка
— промислові перетворювачі
— системи керування електродвигунами
— обладнання для перетворення енергії

Основні переваги

— Робоча напруга до 600 В
— Струм колектора до 40 А
— Висока швидкість перемикання
— Низькі втрати потужності
— Підходить для інверторних схем
— Корпус TO-3P з ефективним тепловідведенням
— Надійна робота у високовольтних силових пристроях