Теплопровідна силіконова прокладка TO-220 термопрокладка для транзисторів MOSFET IGBT та силових модулів

Теплопровідна силіконова прокладка TO-220 термопрокладка для транзисторів MOSFET IGBT та силових модулів

Силіконова теплопровідна прокладка для корпусів TO-220 призначена для встановлення між силовим транзистором та радіатором з метою забезпечення електричної ізоляції та ефективного відведення тепла.

Прокладка дозволяє ізолювати корпус транзистора від радіатора без погіршення теплопередачі. Еластичний силіконовий матеріал забезпечує щільний контакт між поверхнями, покращує тепловідвід та підвищує надійність роботи силових електронних компонентів.

Такі прокладки широко використовуються при монтажі MOSFET, IGBT та інших силових транзисторів у корпусі TO-220 в блоках живлення, інверторах, зарядних пристроях, зварювальних апаратах та іншому електронному обладнанні.

Характеристики

— Тип: теплопровідна ізоляційна прокладка
— Тип корпусу: TO-220
— Матеріал: силікон
— Розміри: 21.3 × 11.3 × 5.5 мм
— Колір: білий / сірий (може відрізнятись)
— Одиниця продажу: 1 шт

Призначення:

— електрична ізоляція транзистора від радіатора
— покращення тепловідведення
— монтаж силових компонентів
— ремонт та складання електронних пристроїв

Сумісність:

— MOSFET транзистори у корпусі TO-220
— IGBT транзистори у корпусі TO-220
— інші силові компоненти аналогічного форм-фактора

Основні переваги

— Забезпечує електричну ізоляцію
— Ефективно передає тепло на радіатор
— Еластичний силіконовий матеріал
— Стійкість до високих температур
— Простий монтаж
— Підходить для корпусів TO-220
— Широко використовується у силовій електроніці