Теплопровідна силіконова прокладка TO-3P термопрокладка для транзисторів MOSFET IGBT та силових модулів

Теплопровідна силіконова прокладка TO-3P термопрокладка для транзисторів MOSFET IGBT та силових модулів

Силіконова теплопровідна прокладка для корпусів TO-3P призначена для встановлення між силовим електронним компонентом і радіатором з метою забезпечення електричної ізоляції та ефективного відведення тепла.

Прокладка дозволяє ізолювати корпус транзистора від радіатора без погіршення теплопередачі. Завдяки еластичному силіконовому матеріалу забезпечується щільний контакт між поверхнями, що покращує тепловідвід та підвищує надійність роботи силових компонентів.

Такі ізоляційні прокладки широко використовуються при монтажі MOSFET, IGBT та інших силових транзисторів у корпусі TO-3P в інверторах, блоках живлення, зварювальних апаратах та промисловій електроніці.

Характеристики

— Тип: теплопровідна ізоляційна прокладка
— Тип корпусу: TO-3P
— Матеріал: силікон
— Розміри: 28.5 × 17.4 × 5.9 мм
— Колір: сірий / білий (може відрізнятись)
— Одиниця продажу: 1 шт

Призначення:

— електрична ізоляція транзистора від радіатора
— покращення тепловідведення
— монтаж силових компонентів
— ремонт та складання електронних пристроїв

Сумісність:

— MOSFET транзистори у корпусі TO-3P
— IGBT транзистори у корпусі TO-3P
— інші силові компоненти аналогічного форм-фактора

Основні переваги

— Забезпечує електричну ізоляцію
— Ефективно передає тепло на радіатор
— Еластичний силіконовий матеріал
— Стійкість до високих температур
— Простий монтаж
— Підходить для корпусів TO-3P
— Широко використовується у силовій електроніці