Транзистор FGA25N120ANTD IGBT 1200В 25А TO-3P силовий для зварювальних інверторів та імпульсних схем

Транзистор FGA25N120ANTD IGBT 1200В 25А TO-3P силовий для зварювальних інверторів та імпульсних схем

FGA25N120ANTD — високовольтний IGBT транзистор виробництва ON Semiconductor (onsemi), призначений для використання у потужних силових електронних схемах та системах перетворення енергії.

Транзистор витримує напругу до 1200 В і струм до 25 А, що дозволяє застосовувати його в інверторах, джерелах безперебійного живлення (UPS), зварювальних апаратах, індукційних нагрівачах та промислових перетворювачах. Завдяки високій швидкості перемикання та низьким втратам при комутації компонент забезпечує ефективну і стабільну роботу високовольтних силових вузлів.

Корпус TO-3P забезпечує ефективне тепловідведення та дозволяє встановлювати транзистор на радіатор для роботи з великими потужностями. Надійність конструкції та високі електричні характеристики роблять FGA25N120ANTD оптимальним рішенням для ремонту та розробки сучасного промислового обладнання.

Характеристики

— Тип транзистора: IGBT
— Модель: FGA25N120ANTD
— Виробник: ON Semiconductor (onsemi)

Конструкція:

— Корпус: TO-3P
— Тип монтажу: THT

Електричні параметри:

— Максимальна напруга колектор-емітер (Vce): 1200 В
— Номінальний струм колектора (Ic): до 25 А
— Імпульсний струм: до 50 А

Застосування:

— інвертори
— джерела безперебійного живлення (UPS)
— зварювальні апарати
— індукційні нагрівачі
— промислові перетворювачі
— силова електроніка
— системи керування електродвигунами
— обладнання для перетворення енергії

Основні переваги

— Робоча напруга до 1200 В
— Номінальний струм до 25 А
— Імпульсний струм до 50 А
— Висока швидкість перемикання
— Низькі втрати при комутації
— Корпус TO-3P з ефективним тепловідведенням
— Надійна робота у високовольтних силових схемах