Транзистор G40N60UFD IGBT 600В 40А TO-247 силовий для зварювальних інверторів та імпульсних схем

Транзистор G40N60UFD IGBT 600В 40А TO-247 силовий для зварювальних інверторів та імпульсних схем

G40N60UFD — потужний IGBT транзистор виробництва ON Semiconductor, призначений для роботи у високовольтних силових електронних схемах та системах перетворення енергії.

Транзистор розрахований на напругу до 600 В і струм до 40 А, що дозволяє використовувати його в інверторах, імпульсних джерелах живлення, зварювальних апаратах, джерелах безперебійного живлення (UPS) та промисловому обладнанні. Завдяки високій швидкості перемикання та низьким втратам компонент забезпечує ефективну й стабільну роботу у високопотужних силових схемах.

Корпус TO-247 забезпечує ефективне тепловідведення та дозволяє використовувати радіатор для роботи з великими потужностями. Надійність конструкції та високі електричні характеристики роблять G40N60UFD оптимальним рішенням для ремонту та створення сучасних силових пристроїв.

Характеристики

— Тип транзистора: IGBT
— Модель: G40N60UFD
— Виробник: ON Semiconductor

Конструкція:

— Корпус: TO-247
— Тип монтажу: THT

Електричні параметри:

— Максимальна напруга колектор-емітер (Vce): 600 В
— Номінальний струм колектора (Ic): до 40 А
— Імпульсний струм: до 80 А

Застосування:

— інвертори
— джерела безперебійного живлення (UPS)
— імпульсні блоки живлення
— зварювальні апарати
— силова електроніка
— промислові перетворювачі
— системи керування електродвигунами
— обладнання для перетворення енергії

Основні переваги

— Робоча напруга до 600 В
— Номінальний струм до 40 А
— Імпульсний струм до 80 А
— Висока швидкість перемикання
— Низькі втрати енергії
— Корпус TO-247 з ефективним тепловідведенням
— Надійна робота у високовольтних силових схемах