Транзистор MDP1991 MOSFET N-канальний 100В 120А TO-220 силовий польовий для моторів та DC-DC схем

Транзистор MDP1991 MOSFET N-канальний 100В 120А TO-220 силовий польовий для моторів та DC-DC схем

MDP1991 — потужний N-канальний MOSFET транзистор виробництва MagnaChip Semiconductor, призначений для використання у високострумових силових електронних схемах та системах керування навантаженням.

Транзистор витримує напругу до 100 В та струм до 120 А, що дозволяє застосовувати його у DC-DC перетворювачах, драйверах електродвигунів, джерелах живлення, автомобільній електроніці та інших силових пристроях. Завдяки дуже низькому опору відкритого каналу компонент забезпечує мінімальні втрати потужності та високу енергоефективність при роботі з великими струмами.

Корпус TO-220 забезпечує ефективне тепловідведення та дозволяє встановлювати транзистор на радіатор для стабільної роботи в умовах підвищеного навантаження.

Характеристики

— Тип транзистора: MOSFET
— Канал: N-канальний
— Модель: MDP1991
— Виробник: MagnaChip Semiconductor

Конструкція:

— Корпус: TO-220
— Тип монтажу: THT

Електричні параметри:

— Максимальна напруга стік-витік (Vds): 100 В
— Максимальний струм стоку (Id): до 120 А
— Опір відкритого каналу (Rds(on)): ≈5.9 мОм
— Порогова напруга затвора (Vgs(th)): 2–4 В
— Максимальна потужність розсіювання: ≈250 Вт

Робочі умови:

— Температурний діапазон: −55…+150 °C

Застосування:

— DC-DC перетворювачі
— драйвери двигунів
— джерела живлення
— автомобільна електроніка
— силові ключі
— системи керування навантаженням
— промислова електроніка

Основні переваги

— Високий струм до 120 А
— Робоча напруга до 100 В
— Дуже низький опір каналу 5.9 мОм
— Мінімальні втрати потужності
— Корпус TO-220 з ефективним тепловідведенням
— Можливість встановлення на радіатор
— Надійна робота у високострумових схемах