Транзистор P12NM50FP MOSFET N-канальний 500В 9.5А TO-220FP силовий польовий для інверторів та DC-DC схем

Транзистор P12NM50FP MOSFET N-канальний 500В 9.5А TO-220FP силовий польовий для інверторів та DC-DC схем

P12NM50FP — силовий N-канальний MOSFET транзистор від STMicroelectronics, призначений для використання в імпульсних джерелах живлення та інших високовольтних силових електронних схемах.

Транзистор підтримує напругу до 500 В і струм до 9.5 А, що дозволяє використовувати його в імпульсних блоках живлення (SMPS), інверторах, драйверах навантаження та силових ключах. Низький опір відкритого каналу сприяє зменшенню втрат потужності та підвищенню ефективності роботи пристроїв.

Особливістю моделі є ізольований корпус TO-220FP, який дозволяє встановлювати транзистор на радіатор без використання додаткових ізолюючих прокладок. Це спрощує монтаж і підвищує надійність конструкції.

MOSFET транзистори цього типу широко застосовуються у блоках живлення телевізорів, комп'ютерних БЖ, зарядних пристроях, інверторах та побутовій електроніці.

Характеристики

— Модель: P12NM50FP
— Тип транзистора: MOSFET
— Канал: N-канальний
— Виробник: STMicroelectronics

Конструкція:

— Корпус: TO-220FP (ізольований)
— Тип монтажу: THT

Електричні параметри:

— Максимальна напруга стік-витік (Vds): 500 В
— Максимальний струм стоку (Id): 9.5 А
— Опір відкритого каналу (Rds(on)): 0.55 Ом
— Максимальна потужність розсіювання: 30 Вт

Застосування:

— імпульсні блоки живлення (SMPS)
— інвертори
— силові ключі
— драйвери навантаження
— зарядні пристрої
— блоки живлення телевізорів
— комп'ютерні блоки живлення
— побутова електроніка

Основні переваги

— Робоча напруга до 500 В
— Струм стоку до 9.5 А
— Ізольований корпус TO-220FP
— Монтаж на радіатор без ізолюючих прокладок
— Висока надійність та ефективність
— Підходить для високовольтних силових схем