Транзистор 5503DM MOSFET N-канальний 30В 80А TO-263 силовий польовий для DC-DC та імпульсних схем

Транзистор 5503DM MOSFET N-канальний 30В 80А TO-263 силовий польовий для DC-DC та імпульсних схем

5503DM — потужний N-канальний MOSFET транзистор від ON Semiconductor, призначений для використання у силових електронних схемах, перетворювачах напруги та системах керування навантаженням.

Завдяки максимальному струму до 80 А та низькому опору відкритого каналу транзистор забезпечує високу ефективність роботи та мінімальні втрати потужності. Компонент широко використовується в імпульсних блоках живлення, DC-DC перетворювачах, автомобільній електроніці, драйверах двигунів та акумуляторних системах.

Корпус TO-263 (D2PAK) забезпечує ефективне тепловідведення та зручний поверхневий монтаж на друковану плату.

Характеристики

— Тип транзистора: MOSFET
— Канал: N-канальний
— Модель: 5503DM
— Виробник: ON Semiconductor

Конструкція:

— Корпус: TO-263 (D2PAK)
— Тип монтажу: SMD

Електричні параметри:

— Максимальна напруга стік-витік (Vds): 30 В
— Максимальний струм стоку (Id): 80 А

Застосування:

— силова електроніка
— DC-DC перетворювачі
— імпульсні блоки живлення
— драйвери двигунів
— автомобільна електроніка
— системи керування навантаженням
— акумуляторні пристрої

Основні переваги

— Високий струм до 80 А
— Низькі втрати потужності
— Компактний корпус TO-263 (D2PAK)
— Ефективне тепловідведення
— Підходить для високострумових схем
— Надійна робота у силових пристроях