Транзистор DG302 N-канальный MOSFET 60В 30А TO-252 силовой полевой для DC-DC и импульсных схем

Транзистор DG302 N-канальный MOSFET 60В 30А TO-252 силовой полевой для DC-DC и импульсных схем

DG302 — силовой N-канальный MOSFET транзистор, предназначенный для использования в источниках питания, DC-DC преобразователях и других силовых электронных схемах.

Транзистор обеспечивает низкое сопротивление открытого канала и поддерживает работу с высокими токами, что позволяет использовать его в силовых ключах, импульсных преобразователях, драйверах двигателей и схемах управления нагрузкой.

Корпус TO-252 (DPAK) обеспечивает эффективное теплоотведение и удобный SMD-монтаж на печатную плату. Благодаря компактным размерам транзистор подходит для современных электронных устройств с высокой плотностью компонентов.

DG302 широко используется в блоках питания, силовых модулях, зарядных устройствах и DIY-электронике.

Характеристики:

— Тип транзистора: MOSFET
— Модель: DG302
— Тип канала: N-канальный
— Корпус: TO-252 (DPAK, SMD)
— Максимальное напряжение сток-исток (Vds): до 60В
— Максимальный ток стока (Id): до 30А
— Сопротивление открытого канала Rds(on): примерно 0.035Ω
— Диапазон рабочих температур: −55…+150°C
— Размеры корпуса: примерно 6.5 × 6.1 × 2.4 мм

Применение:

— импульсные источники питания
— DC-DC преобразователи
— силовые ключи
— драйверы двигателей
— зарядные устройства
— DIY электроника

Основные преимущества:

— Низкое сопротивление открытого канала
— Поддержка высокого тока
— Компактный SMD корпус
— Эффективное теплоотведение
— Подходит для силовых схем
— Высокая надёжность работы
— Удобный монтаж TO-252