Транзистор G40T60AN3H IGBT 600В 40А TO-3P ON Semiconductor силовой для сварочных инверторов и импульсных схем

Транзистор G40T60AN3H IGBT 600В 40А TO-3P ON Semiconductor силовой для сварочных инверторов и импульсных схем

G40T60AN3H — мощный IGBT транзистор производства ON Semiconductor, предназначенный для работы в высоковольтных силовых электронных схемах и системах преобразования энергии.

Транзистор рассчитан на напряжение до 600 В и ток до 40 А, что позволяет использовать его в инверторах, импульсных источниках питания, источниках бесперебойного питания (UPS), сварочных аппаратах и другом промышленном оборудовании. Благодаря высокой скорости переключения и низким потерям компонент обеспечивает эффективную и стабильную работу силовых узлов.

Корпус TO-3P обеспечивает эффективный теплоотвод и позволяет устанавливать транзистор на радиатор для работы с большими мощностями. Надёжность конструкции и высокие электрические характеристики делают G40T60AN3H оптимальным решением для ремонта и разработки современных силовых устройств.

Характеристики

— Тип транзистора: IGBT
— Модель: G40T60AN3H
— Производитель: ON Semiconductor

Конструкция:

— Корпус: TO-3P
— Тип монтажа: THT

Электрические параметры:

— Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vce): 600 В
— Максимальный ток коллектора (Ic): до 40 А

Применение:

— инверторы
— источники бесперебойного питания (UPS)
— импульсные блоки питания
— сварочные аппараты
— силовая электроника
— промышленные преобразователи
— системы управления электродвигателями
— оборудование для преобразования энергии

Основные преимущества

— Рабочее напряжение до 600 В
— Ток коллектора до 40 А
— Высокая скорость переключения
— Низкие потери мощности
— Подходит для инверторных схем
— Корпус TO-3P с эффективным теплоотводом
— Надёжная работа в высоковольтных силовых устройствах