Теплопроводящая силиконовая прокладка TO-3P термопрокладка для транзисторов MOSFET IGBT и силовых модулей

Теплопроводящая силиконовая прокладка TO-3P термопрокладка для транзисторов MOSFET IGBT и силовых модулей

Силиконовая теплопроводящая прокладка для корпусов TO-3P предназначена для установки между силовым электронным компонентом и радиатором с целью обеспечения электрической изоляции и эффективного отвода тепла.

Прокладка позволяет изолировать корпус транзистора от радиатора без ухудшения теплопередачи. Благодаря эластичному силиконовому материалу обеспечивается плотный контакт между поверхностями, что улучшает теплоотвод и повышает надёжность работы силовых компонентов.

Такие изоляционные прокладки широко используются при монтаже MOSFET, IGBT и других силовых транзисторов в корпусе TO-3P в инверторах, блоках питания, сварочных аппаратах и промышленной электронике.

Характеристики

— Тип: теплопроводящая изоляционная прокладка
— Тип корпуса: TO-3P
— Материал: силикон
— Размеры: 28.5 × 17.4 × 5.9 мм
— Цвет: серый / белый (может отличаться)
— Единица продажи: 1 шт

Назначение:

— электрическая изоляция транзистора от радиатора
— улучшение теплоотвода
— монтаж силовых компонентов
— ремонт и сборка электронных устройств

Совместимость:

— MOSFET транзисторы в корпусе TO-3P
— IGBT транзисторы в корпусе TO-3P
— другие силовые компоненты аналогичного форм-фактора

Основные преимущества

— Обеспечивает электрическую изоляцию
— Эффективно передаёт тепло на радиатор
— Эластичный силиконовый материал
— Устойчивость к высоким температурам
— Простой монтаж
— Подходит для корпусов TO-3P
— Широко используется в силовой электронике