Транзистор FGA25N120ANTD IGBT 1200В 25А TO-3P силовой для сварочных инверторов и импульсных схем

Транзистор FGA25N120ANTD IGBT 1200В 25А TO-3P силовой для сварочных инверторов и импульсных схем

FGA25N120ANTD — высоковольтный IGBT транзистор производства ON Semiconductor (onsemi), предназначенный для использования в мощных силовых электронных схемах и системах преобразования энергии.

Транзистор выдерживает напряжение до 1200 В и ток до 25 А, что позволяет применять его в инверторах, источниках бесперебойного питания (UPS), сварочных аппаратах, индукционных нагревателях и промышленных преобразователях. Благодаря высокой скорости переключения и низким потерям при коммутации компонент обеспечивает эффективную и стабильную работу высоковольтных силовых узлов.

Корпус TO-3P обеспечивает эффективный теплоотвод и позволяет устанавливать транзистор на радиатор для работы с большими мощностями. Надёжность конструкции и высокие электрические характеристики делают FGA25N120ANTD оптимальным решением для ремонта и разработки современного промышленного оборудования.

Характеристики

— Тип транзистора: IGBT
— Модель: FGA25N120ANTD
— Производитель: ON Semiconductor (onsemi)

Конструкция:

— Корпус: TO-3P
— Тип монтажа: THT

Электрические параметры:

— Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vce): 1200 В
— Номинальный ток коллектора (Ic): до 25 А
— Импульсный ток: до 50 А

Применение:

— инверторы
— источники бесперебойного питания (UPS)
— сварочные аппараты
— индукционные нагреватели
— промышленные преобразователи
— силовая электроника
— системы управления электродвигателями
— оборудование для преобразования энергии

Основные преимущества

— Рабочее напряжение до 1200 В
— Номинальный ток до 25 А
— Импульсный ток до 50 А
— Высокая скорость переключения
— Низкие потери при коммутации
— Корпус TO-3P с эффективным теплоотводом
— Надёжная работа в высоковольтных силовых схемах