Транзистор G40N60UFD IGBT 600В 40А TO-247 силовой для сварочных инверторов и импульсных схем

Транзистор G40N60UFD IGBT 600В 40А TO-247 силовой для сварочных инверторов и импульсных схем

G40N60UFD — мощный IGBT транзистор производства ON Semiconductor, предназначенный для работы в высоковольтных силовых электронных схемах и системах преобразования энергии.

Транзистор рассчитан на напряжение до 600 В и ток до 40 А, что позволяет использовать его в инверторах, импульсных источниках питания, сварочных аппаратах, источниках бесперебойного питания (UPS) и промышленном оборудовании. Благодаря высокой скорости переключения и низким потерям компонент обеспечивает эффективную и стабильную работу в высокомощных силовых схемах.

Корпус TO-247 обеспечивает эффективный теплоотвод и позволяет использовать радиатор при работе с большими мощностями. Надёжность конструкции и высокие электрические характеристики делают G40N60UFD оптимальным решением для ремонта и разработки современных силовых устройств.

Характеристики

— Тип транзистора: IGBT
— Модель: G40N60UFD
— Производитель: ON Semiconductor

Конструкция:

— Корпус: TO-247
— Тип монтажа: THT

Электрические параметры:

— Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vce): 600 В
— Номинальный ток коллектора (Ic): до 40 А
— Импульсный ток: до 80 А

Применение:

— инверторы
— источники бесперебойного питания (UPS)
— импульсные блоки питания
— сварочные аппараты
— силовая электроника
— промышленные преобразователи
— системы управления электродвигателями
— оборудование для преобразования энергии

Основные преимущества

— Рабочее напряжение до 600 В
— Номинальный ток до 40 А
— Импульсный ток до 80 А
— Высокая скорость переключения
— Низкие потери энергии
— Корпус TO-247 с эффективным теплоотводом
— Надёжная работа в высоковольтных силовых схемах