Транзистор MDP1991 MOSFET N-канальный 100В 120А TO-220 силовой полевой для моторов и DC-DC схем

Транзистор MDP1991 MOSFET N-канальный 100В 120А TO-220 силовой полевой для моторов и DC-DC схем

MDP1991 — мощный N-канальный MOSFET транзистор производства MagnaChip Semiconductor, предназначенный для использования в высокотоковых силовых электронных схемах и системах управления нагрузкой.

Транзистор выдерживает напряжение до 100 В и ток до 120 А, что позволяет применять его в DC-DC преобразователях, драйверах электродвигателей, источниках питания, автомобильной электронике и других силовых устройствах. Благодаря очень низкому сопротивлению открытого канала компонент обеспечивает минимальные потери мощности и высокую энергоэффективность при работе с большими токами.

Корпус TO-220 обеспечивает эффективный теплоотвод и позволяет устанавливать транзистор на радиатор для стабильной работы в условиях повышенной нагрузки.

Характеристики

— Тип транзистора: MOSFET
— Канал: N-канальный
— Модель: MDP1991
— Производитель: MagnaChip Semiconductor

Конструкция:

— Корпус: TO-220
— Тип монтажа: THT

Электрические параметры:

— Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 100 В
— Максимальный ток стока (Id): до 120 А
— Сопротивление открытого канала (Rds(on)): ≈5.9 мОм
— Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): 2–4 В
— Максимальная рассеиваемая мощность: ≈250 Вт

Рабочие условия:

— Температурный диапазон: −55…+150 °C

Применение:

— DC-DC преобразователи
— драйверы двигателей
— источники питания
— автомобильная электроника
— силовые ключи
— системы управления нагрузкой
— промышленная электроника

Основные преимущества

— Высокий ток до 120 А
— Рабочее напряжение до 100 В
— Очень низкое сопротивление канала 5.9 мОм
— Минимальные потери мощности
— Корпус TO-220 с эффективным теплоотводом
— Возможность установки на радиатор
— Надёжная работа в высокотоковых схемах