Транзистор P10NK60ZFP MOSFET N-канальный 600В 8.3А TO-220FP силовой полевой для инверторов и DC-DC схем

Транзистор P10NK60ZFP MOSFET N-канальный 600В 8.3А TO-220FP силовой полевой для инверторов и DC-DC схем

P10NK60ZFP — высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор производства STMicroelectronics, предназначенный для использования в силовой электронике и импульсных источниках питания.

Транзистор выдерживает напряжение до 600 В и ток до 8.3 А, что позволяет применять его в импульсных блоках питания (SMPS), инверторах, LED-драйверах, преобразователях напряжения и других бытовых и промышленных устройствах. Благодаря низким потерям при коммутации компонент обеспечивает стабильную и эффективную работу силовых схем.

Особенностью модели является полностью изолированный корпус TO-220FP, который позволяет устанавливать транзистор на радиатор без использования дополнительных изолирующих прокладок. Это упрощает монтаж и повышает надёжность конструкции.

MOSFET транзисторы данного типа широко применяются в блоках питания телевизоров, зарядных устройствах, LED-драйверах, инверторах и различной бытовой электронике.

Характеристики

— Тип транзистора: MOSFET
— Канал: N-канальный
— Модель: P10NK60ZFP
— Производитель: STMicroelectronics

Конструкция:

— Корпус: TO-220FP (изолированный)
— Тип монтажа: THT

Электрические параметры:

— Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 600 В
— Максимальный ток стока (Id): 8.3 А
— Сопротивление открытого канала (Rds(on)): ≈0.85 Ом
— Максимальная рассеиваемая мощность: ≈25 Вт

Применение:

— импульсные блоки питания (SMPS)
— инверторы
— преобразователи напряжения
— LED-драйверы
— зарядные устройства
— блоки питания телевизоров
— бытовая электроника
— промышленная электроника

Основные преимущества

— Рабочее напряжение до 600 В
— Ток стока до 8.3 А
— Полностью изолированный корпус TO-220FP
— Монтаж на радиатор без изолирующих прокладок
— Надёжная работа в высоковольтных схемах
— Высокая эффективность коммутации