Транзистор 5503DM MOSFET N-канальный 30В 80А TO-263 силовой полевой для DC-DC и импульсных схем

Транзистор 5503DM MOSFET N-канальный 30В 80А TO-263 силовой полевой для DC-DC и импульсных схем

5503DM — мощный N-канальный MOSFET транзистор от ON Semiconductor, предназначенный для использования в силовой электронике, преобразователях напряжения и системах управления нагрузкой.

Благодаря максимальному току до 80 А и низкому сопротивлению открытого канала транзистор обеспечивает высокую эффективность работы и минимальные потери мощности. Компонент широко применяется в импульсных блоках питания, DC-DC преобразователях, автомобильной электронике, драйверах двигателей и аккумуляторных системах.

Корпус TO-263 (D2PAK) обеспечивает эффективный теплоотвод и удобный поверхностный монтаж на печатную плату.

Характеристики

— Тип транзистора: MOSFET
— Канал: N-канальный
— Модель: 5503DM
— Производитель: ON Semiconductor

Конструкция:

— Корпус: TO-263 (D2PAK)
— Тип монтажа: SMD

Электрические параметры:

— Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 30 В
— Максимальный ток стока (Id): 80 А

Применение:

— силовая электроника
— DC-DC преобразователи
— импульсные блоки питания
— драйверы двигателей
— автомобильная электроника
— системы управления нагрузкой
— аккумуляторные устройства

Основные преимущества

— Высокий ток до 80 А
— Низкие потери мощности
— Компактный корпус TO-263 (D2PAK)
— Эффективный теплоотвод
— Подходит для высокотоковых схем
— Надёжная работа в силовых устройствах